一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MNG型動(dòng)態(tài)無(wú)功補償及諧波治理成套裝置，并聯(lián)連接于額定電壓為6kV、10kV、27.5kV、35kV、110kV等交流電力系統中，用于改善系統的功率因數、調整電網(wǎng)電壓、降低線(xiàn)路損耗，提高電網(wǎng)的利用率。該裝置是靜止式動(dòng)態(tài)無(wú)功補償（SVC）的一種，可以提供正負連續可調的無(wú)功功率，采用專(zhuān)利技術(shù)生產(chǎn)的磁控式可調電抗器的方式，從而可以更精密地控制系統電壓和無(wú)功，是現有無(wú)功補償裝置升級換代產(chǎn)品。由于沒(méi)有或者極少有電容投切帶來(lái)的沖擊和涌流，可以大大提高裝置的可靠性和壽命�？梢詫θ喾謩e補償，尤其適應于三相功率不平衡的情況。
1）MNG型磁控電抗器是通過(guò)直流偏磁改變鐵芯電抗器鐵芯的磁導率來(lái)實(shí)現電感可調的，它與固定電容器配合、自動(dòng)控制器等構成動(dòng)態(tài)無(wú)功補償系統，達到無(wú)功補償容量無(wú)級調節，使無(wú)功補償效果達到最佳。
2）提高電網(wǎng)功率因數，可以使功率因數達到0.9～0.99的要求；并降低網(wǎng)損和無(wú)功損耗，節能省電，適用于電力系統龐大網(wǎng)損非常嚴重的用戶(hù)。
3）消除諧波污染，提高電網(wǎng)系統安全系數，提高電網(wǎng)的電壓穩 定 能力和輸電線(xiàn)傳輸能力。
4）穩定端點(diǎn)電壓（防止電壓過(guò)高或過(guò)低），提高變壓器與輸電線(xiàn)以及其他電器設備的壽命。
5）為用戶(hù)擴容，在很多行業(yè)場(chǎng)合安裝MNG型磁控電抗器動(dòng)態(tài)無(wú)功補償裝置，可以實(shí)現1.2～1.5倍的擴容，大幅節約擴容開(kāi)支。
6）MNG型磁控電抗器SVC動(dòng)態(tài)無(wú)功補償系統的性?xún)r(jià)比高，比較國產(chǎn)TCR型SVC的價(jià)格低1/3，只是進(jìn)口TCR型SVC價(jià)格的40%。
7）油浸式磁控電抗器由有氣隙鐵芯、線(xiàn)圈、油箱、散熱器、儲油柜、套管、根據容量大小還有壓力釋放閥、瓦斯繼電器、測溫儀等主要部件構成 ,既有壓力、氣體、溫度保護裝置。
二、產(chǎn)品型號
三、成套裝置組成
MNG型動(dòng)態(tài)無(wú)功補償及諧波治理成套裝置主要由開(kāi)關(guān)柜、串聯(lián)電抗器、電容器、磁控電抗器、放電線(xiàn)圈、氧化鋅避雷器、隔離開(kāi)關(guān)、控制屏等組成。開(kāi)關(guān)柜及繼電保護屏由用戶(hù)自行解決或協(xié)商解決。并聯(lián)電容器可以是集合式的，也可以為框架式結構，電容器向系統輸送容性電流，起到無(wú)功補償的作用。
串聯(lián)電抗器串聯(lián)連接在電容器回路中，主要起限制合閘涌流和優(yōu)化抑制諧波之用。只用來(lái)抑制合閘涌流者，應選用每相額定感抗XL為(0.1-1)%XC。（XC為電容器組每相的額定容抗）的電抗器；用來(lái)抑制5次及以上諧波者，應選用XL為(4.5-6)%XC的電容器；用來(lái)抑制3次以上諧波者，應選用XL為(12-13)%XC的電容器。
放電線(xiàn)圈（或電壓互感器）并聯(lián)連接在電容器回路中，當斷開(kāi)電源后，能使電容器上的剩余電壓在5s內從√2Un降到50V以下。
氧化鋅避雷器接成Y型接入線(xiàn)路，其中性點(diǎn)接地，以限制投切電容器組時(shí)所引起的操作過(guò)電壓。隔離開(kāi)關(guān)既可以接成線(xiàn)路隔離又可以接成對地隔離，也可以?xún)烧呒嬗小?/DIV>
四、一次原理圖
圖1 一次原理圖
五．磁控電抗器工作原理
磁控電抗器是利用直流助磁的原理，即利用附加直流勵磁，磁化電抗器鐵芯，通過(guò)調節磁控電抗器鐵芯的磁飽和程度，改變鐵芯的磁導率，實(shí)現電抗值的連續可調。在鐵芯上設置由不飽和區域鐵芯和飽和區域鐵芯交錯排列組成并聯(lián)磁路，在并聯(lián)磁路中按比例設定不飽和區域與飽和區域鐵芯面積或設定不飽和區域鐵心與飽和區域鐵芯各自磁阻，通過(guò)調節可控硅觸發(fā)導通角來(lái)控制附加直流勵磁電流對鐵芯的勵磁磁化，使飽和區域鐵芯的漏磁通由主磁通方向被前后相鄰或左右相鄰的不飽和區域鐵芯吸收而形成自屏蔽，通過(guò)對鐵芯的勵磁磁化改變并聯(lián)磁路中不飽和區域鐵芯和飽和區域鐵芯的磁飽和程度實(shí)現電抗值的連續、快速可調�？煽仉娍蛊髟斫泳�(xiàn)圖如圖2所示。
圖2 磁控電抗器的原理接線(xiàn)圖
在可控電抗器的工作鐵芯柱上分別對稱(chēng)的繞有匝數為N/2的兩個(gè)線(xiàn)圈，其上有抽頭比為 N2/N的抽頭，它們之間接有可控硅Tl、T2，不同鐵芯的上下兩個(gè)主繞組交叉連接后并聯(lián)至電源，續流二極管接在兩個(gè)線(xiàn)圈的中間。
當磁控電抗器主繞組接至電源電壓時(shí)，在可控硅兩端感應出1％左右的系統電壓。在電源電壓正半周觸發(fā)導通可控硅T1，形成下圖（a）所示的等效電路，在回路中產(chǎn)生直流控制電流；在電源電壓負半周觸發(fā)導通可控硅T22，形成圖(b)所示的等效電路，在回路中產(chǎn)生直流控制電流。兩個(gè)可控硅在一個(gè)工頻周期輪流觸發(fā)導通，產(chǎn)生直流控制電流，使電抗器工作鐵芯飽和，輸出電流增加。磁控電抗器輸出電流大小取決于可控硅控制角，控制角越小，產(chǎn)生的控制電流越強，從而電抗器工作鐵芯磁飽和度越高，輸出電流越大。因此，改變可控硅控制角，可平滑調節電抗器容量。而且由上分析可知，磁控電抗器具有自藕勵磁功能，省去了單獨的直流控制電源。
六、磁控電抗器結構設計
采用磁路并聯(lián)漏磁自屏蔽磁路和自藕式直流助磁電路的設計技術(shù)，鐵芯采用磁密不飽和的對稱(chēng)分裂結構，繞組采用上下并聯(lián)左右對稱(chēng)結構。應用大型變壓器的結構技術(shù)，高壓電流互感器（CT）、電壓互感器（PT）、電容式電壓互感器（CVT）的絕緣技術(shù)，通過(guò)多年研發(fā)創(chuàng )立的新技術(shù)，真正實(shí)現了磁控電抗器的產(chǎn)品化；與磁閥式可控電抗技術(shù)比較，真正達到了損耗小、噪音低，接近于低損耗電力變壓器水平；結構合理，生產(chǎn)工藝成熟�？梢耘可a(chǎn)；質(zhì)量可靠，運行安全免維護，成本低。鐵芯不飽和設計，加上對稱(chēng)結構互相不干擾，鐵芯損耗小，噪音低；伏安特性，近似直線(xiàn)（硅鋼片磁化曲線(xiàn)的線(xiàn)性段）；本體基本上不產(chǎn)生諧波，控制回路產(chǎn)生的少量諧波，由于采用△接線(xiàn)，不向系統輸出；主要的漏磁通在鐵芯內得到有效屏蔽，線(xiàn)圈和油箱中的漏磁通小，附加損耗小，總損耗��；按照容量大小，是磁閥式可控電抗器或 SVC 中相控電抗器（TCR）的 50％以下；方便安裝，占地面積小，基本上不需要維護；電抗器容量調節范圍大：1％~100％。
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